光谱学与光谱分析
脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光
于 威，何 杰，孙运涛，韩 理，傅广生
河北大学物理科学与技术学院，河北 保定 071002
Photoluminescence of Nano-SiC Annealed by Pulse Laser
YU Wei，HE Jie，SUN Yun-tao，HAN Li, FU Guang-sheng
College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China
摘要 ： 采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC)，并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明，纳米SiC薄膜的光致发光表现为300～600 nm范围内的较宽发光谱带，随退火激光能量密度的增加，nc-SiC薄膜398 nm附近的发光峰相对强度增加，而470 nm附近发光峰相对减小。根据nc-SiC薄膜的结构特性变化, 认为这两个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光，并且这两种发光过程存在竞争。
关键词 ：光致发光;激光退火;碳化硅
Abstract ：Nanocrystalline silicon carbon (nc-SiC)from amorphous silicon carbon films was obtained through XeCl excimer laser annealing. The photoluminescence (PL) of the nc-SiC was analyzed at different annealing laser energy density. It was observed that PL presented a wide luminescence band from 300-600 nm in the nc-SiC films. The two main luminescence bands, situated at 398 and 470 nm respectively, are attributed to band to band and defect recombination in the 6H-SiC based on the structure changes of the nc-SiC films. The relative PL intensity of these two bands was determined by the surface state density in the nc-SiC films and their irradiative life time.
Key words ：Photoluminescence;Laser annealing;SiC
收稿日期: 2003-12-15
修订日期: 2004-05-26
通讯作者:
于 威
引用本文:
于 威，何 杰，孙运涛，韩 理，傅广生 . 脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光[J]. 光谱学与光谱分析, 2005, 25(04): 506-508.
链接本文:
https://www.gpxygpfx.com/CN/Y2005/V25/I04/506
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