基于自制超稳定F-P腔压窄632.8 nm外腔半导体激光线宽的实验研究

郭松杰^1,³, 周月婷^1,³, 吴永前², 周晓彬^1,³, 田建飞^1,³, 赵刚^1,³, 马维光^1,^3,^*, 董磊^1,³, 张雷^1,³, 尹王保^1,³, 肖连团^1,³, 贾锁堂^1,³

Experimental Study on Narrowing 632.8 nm External Cavity Diode Laser Linewidth Based on Self Made Ultra-Stable F-P Cavity

GUO Song-jie^1,³, ZHOU Yue-ting^1,³, WU Yong-qian², ZHOU Xiao-bin^1,³, TIAN Jian-fei^1,³, ZHAO Gang^1,³, MA Wei-guang^1,^3,^*, DONG Lei^1,³, ZHANG Lei^1,³, YIN Wang-bao^1,³, XIAO Lian-tuan^1,³, JIA Suo-tang^1,³

扫描与锁定状态下的误差信号采集 (a): 扫描状态下的误差信号; (b): 锁定之后20 s时长的误差信号