基于自制超稳定F-P腔压窄632.8 nm外腔半导体激光线宽的实验研究
郭松杰1,3, 周月婷1,3, 吴永前2, 周晓彬1,3, 田建飞1,3, 赵刚1,3, 马维光1,3,*, 董磊1,3, 张雷1,3, 尹王保1,3, 肖连团1,3, 贾锁堂1,3

Experimental Study on Narrowing 632.8 nm External Cavity Diode Laser Linewidth Based on Self Made Ultra-Stable F-P Cavity
GUO Song-jie1,3, ZHOU Yue-ting1,3, WU Yong-qian2, ZHOU Xiao-bin1,3, TIAN Jian-fei1,3, ZHAO Gang1,3, MA Wei-guang1,3,*, DONG Lei1,3, ZHANG Lei1,3, YIN Wang-bao1,3, XIAO Lian-tuan1,3, JIA Suo-tang1,3
扫描状态(左)及锁定状态(右)的腔透射信号和误差信号 (a): 扫描触发信号; (b): 扫描状态下的误差信号; (c): 扫描状态下腔透射信号; (d): 扫描关闭后的触发信号; (e): 锁定状态下的误差信号; (f): 锁定状态下腔透射信号