|
入射角度和偏振对锥形硅纳米线光谱行为的影响
|
仝杰1 , 雷煜卿1, 李英峰2,* , 李美成2, 张明皓1, 高中亮2 |
Influence of Incident Angle and Polarization on Spectral Behaviors of Tapered Silicon Nanowire
|
TONG Jie 1 , LEI Yu-qing 1, LI Ying-feng 2,* , LI Mei-cheng 2, ZHANG Ming-hao 1, GAO Zhong-liang 2
|
|
入射光的角度和偏振对T-SiNW光谱行为的影响 (a): T-SiNW对pol1和pol2偏振光的平均消光谱; (b): T-SiNW对不同偏振光的消光谱; (c): T-SiNW对pol1和pol2偏振光的平均吸收谱及其差值(插图); (d): T-SiNW对pol1和pol2偏振光的平均吸收/消光比及其差值(插图) |
|
|
 |
|
|