CdZnTe晶体热激电流谱分析

符旭^1,², 王方宝^1,², 徐凌燕^1,², 徐亚东^1,², 介万奇^1,^2,^*

Study on the Analytical Method of Thermally Stimulated Current Spectroscopy of CdZnTe Crystal

FU Xu^1,², WANG Fang-bao^1,², XU Ling-yan^1,², XU Ya-dong^1,², JIE Wan-qi^1,^2,^*

(a)和(b)分别为W01样品的SIMPA解谱方法和变升温速率的Arrhenius拟合结果 (a)中所用升温速率为0.21 K·s^-1 通过与T04样品的对比, 不难发现W01样品整体TSC谱电流较大。在50~150 K范围内, 所有陷阱峰浓度之和达到4×10¹⁶ cm^-3, 是T04样品陷阱浓度的近5倍(8.6×10¹⁵ cm^-3)。这一结论很好的验证了图2 中W01样品在低温光照条件下较长的光电导弛豫现象。