蓝光激光器结构中InGaN/GaN多量子阱界面效应的精细光致发光光谱研究
王滔1,2, 刘建勋2, 葛啸天2, 王荣新2, 孙钱2, 宁吉强2,*, 郑昌成3,*

Fine Photoluminescence Spectroscopic Characterization of Interfacial Effects on Emission Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells in a Blue-Light Laser Diode Structure
WANG Tao1,2, LIU Jian-xun2, GE Xiao-tian2, WANG Rong-xin2, SUN Qian2, NING Ji-qiang2,*, ZHENG Chang-cheng3,*
(a)和(b)分别为N2-MQW样品和H2-MQW样品室温下的功率依赖PL光谱结果, 其中插图显示对3.46 mW功率PL光谱的拟合处理方法, 用以消除干涉振荡结构, 其他功率的光谱数据都是按照此方法处理获得; (c)为H2-MQW和N2-MQW两样品PL光谱峰位能量对激发光功率的依赖关系; (d)为两样品PL光谱半峰宽对激发光功率的依赖关系