基于InGaN量子点的发光二极管载流子复合动力学研究
曹洁花
1,
2
, 田明
1,
2
, 林涛
1,
2,
*
, 冯哲川
1,
2
Investigation of Carrier Recombination Dynamics of Light-Emitting Diode Based on InGaN Quantum Dots
CAO Jie-hua
1,
2
, TIAN Ming
1,
2
, LIN Tao
1,
2,
*
, FENG Zhe-chuan
1,
2
τ
rad
和 τ
nr
分别表示辐射复合寿命和非辐射复合寿命