基于InGaN量子点的发光二极管载流子复合动力学研究

曹洁花^1,², 田明^1,², 林涛^1,^2,^*, 冯哲川^1,²

Investigation of Carrier Recombination Dynamics of Light-Emitting Diode Based on InGaN Quantum Dots

CAO Jie-hua^1,², TIAN Ming^1,², LIN Tao^1,^2,^*, FENG Zhe-chuan^1,²

在15, 200和300 K温度下, 2.25 eV发射的PL衰减曲线