基于InGaN量子点的发光二极管载流子复合动力学研究
曹洁花1,2, 田明1,2, 林涛1,2,*, 冯哲川1,2

Investigation of Carrier Recombination Dynamics of Light-Emitting Diode Based on InGaN Quantum Dots
CAO Jie-hua1,2, TIAN Ming1,2, LIN Tao1,2,*, FENG Zhe-chuan1,2
不同光子能量的InGaN QDs样品在15 K时的PL衰减曲线