Ce掺杂Si纳米线的制备及其蓝光发射特性

范志东¹, 刘绰², 李旭³, 马蕾^2,^*, 彭英才²

The Preparation and Blue Light Emission Characteristic of Ce-Doped Si Nanowires

FAN Zhi-dong¹, LIU Chuo², LI Xu³, MA Lei^2,^*, PENG Ying-cai²

Ce掺杂Si纳米线的激发谱(监测405 nm) 可以看出, Ce掺杂Si纳米线的激发谱是由位于328 nm激发峰和306 nm的肩峰组成的宽谱。 Ce³⁺的4 f 态受晶格的影响比较小, 而且受到外壳电子云的屏蔽作用, 是两个分立的能级, 而5 d 轨道受晶格的影响较大形成连续的能带, 导致Ce³⁺的光吸收谱和发射谱均为宽谱^{[ 8 ]}。采用波长为328 nm的紫外光作为测试样品的激发光, 室温下对样品进行PL特性测试。